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赋能客户研发流片｜光电子先导院1D可寻址PDK工艺工具包正式发布

30 2026/09
2026/09/30
GaAs VCSEL 1D（6.01.03）PDK

★ PDK发布 ★

陕西光电子先导院科技有限公司正式发布面向1D可寻址VCSEL器件的工艺设计规范——GaAs VCSEL 1D（6.01.03）PDK。依托6英寸GaAs晶圆制造平台，覆盖器件完整制造链路，为具备VCSEL设计能力、有流片需求的客户，提供经过产线验证的标准化工艺参考与配套代工流片服务。


PDK（Process Design Kit，工艺设计工具包）是连接代工厂工艺能力与客户芯片设计的核心接口，也是光电子代工模式实现规模化落地的重要基础。近日，光电子先导院正式对外发布1D可寻址VCSEL PDK工艺工具包，进一步扩充平台代工PDK矩阵，面向行业开放经过产线验证的标准化流片工艺参考底座。

本次1D可寻址VCSEL PDK的发布，标志着光电子先导院化合物开放代工平台在标准化工艺输出能力上实现关键升级。目前，光电子先导院已搭建完成基于化合物半导体器件的模块化代工PDK体系，可支撑客户开展面向光通信、激光雷达等领域的器件开发工作，适配多类下游应用场景。该工具包能够有效降低客户设计与产线工艺之间的适配门槛，为客户提供从代工流片、测试验证到量产转化的标准化工艺接口支撑，助力下游光子集成产品加速走向产业化与规模化。
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工艺平台简介

6.01.03工艺平台针对GaAs基外延片上的1D可寻址VCSEL器件开发，是面向该类多通道阵列器件的成熟量产工艺平台。
· 基底：6英寸GaAs晶圆，采用notch定位缺口设计；
· 完整正反面工艺链路：包含P型欧姆接触、双层氮化硅钝化、台面刻蚀、湿法氧化孔径限定、厚金电极 PAD 制备、晶圆背面减薄、N 型欧姆接触等全部关键工序；
· 版图约束规范：四合一光刻版最大可用尺寸≤10mm×10mm；单张光刻版尺寸≤22mm×22mm；PCM测试结构最小预留面积1mm×2mm；版图最小格点精度 0.005μm；
· 工艺适用边界：MESA台面刻蚀深度＜7μm。
说明：以上为代工厂侧工艺约束，客户设计需严格遵循 PDK 内 Design-Rule，保障流片良率与器件性能。

光电子先导院“6英寸化合物光电芯片平台”化学区

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 工艺流程

6.01.03工艺包含16道核心工序，覆盖从正面P型接触制备直至背面N型金属成膜的完整器件制造流程：P-contact →1st SiNx→Mesa Etch→Oxide→2nd SiNx→Via/ID open→PAD→STR Etch→ALD→Pad open→Grinding→N-contact→N-metal→LIV/NF/FF测试→激光切割→分选
6.01.03 Process Flow
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PDK获取与流片合作流程

客户获取 PDK 并开展流片合作，遵循如下标准化流程：
1. 签署保密协议（NDA）
2. 发放对应版本 PDK 工具包
3. 客户项目流片注册
4. 商务合同签订
5. 客户提交合规版图数据
6. 工厂工艺流片加工
7. 晶圆 / 裸片交付与验收
如需获取1D可寻址PDK资料、洽谈流片合作，请按照上述合作流程启动对接。
客户获取PDK及流片合作标准流程图
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结束语

作为化合物半导体开放代工平台，光电子先导院始终聚焦制造端工艺能力建设，以经过产线验证的标准化 PDK 作为设计与制造之间的关键纽带，消解设计端与代工端的工艺信息差。本次1D可寻址VCSEL PDK对外发布，是平台工艺能力沉淀、实现标准化对外输出的重要里程碑。
后续，光电子先导院将持续迭代优化6英寸GaAs工艺平台，完善版图设计规则以及PCM测试结构套件，持续拓展工艺能力边界。我们将与各设计客户保持紧密技术对接，基于真实流片数据与客户反馈持续迭代更新PDK版本，支撑更多1D可寻址VCSEL创新器件完成研发验证、小批量试制到量产转化。期待与产业链各方协同，共同推进化合物光电子器件产业高质量发展。
光电子先导院公司门头全景图

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