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晶圆代工解决方案

首页 晶圆代工解决方案 晶圆代工 单步工艺代工

单步工艺代工

单步工艺代工

光刻工艺

接触式光刻

最小图形尺寸:1μm,套刻精度:±0.5μm


步进式光刻

最小图形尺寸:0.5μm,套刻精度:±0.1μm

金属薄膜工艺

金属蒸镀

Al、Ti、Pt、Au、Ag、Ni、C、Ge、SiO2/TiO2、ITO


金属溅射

Ti、Cu、TiW、Au、Al、Ni、Ge


电镀金属

Au、Ni

介质薄膜工艺

PECVD沉积

SiNx、SiO2


ALD沉积

Al2O3、AlN

蚀刻工艺

干法刻蚀

GaN、GaAS、SiNx、SiO2、InP


湿法刻蚀

Cr腐蚀、BOE腐蚀、金蚀刻等

化学工艺

有机bench

可支持去胶、剥离、有机清洗工艺


酸bench

可支持酸腐蚀、酸处理、碱处理等工艺

减薄工艺

键合解键合工艺

max temp:200℃,极限真空:-710mmHg,升温速率≥10℃/min

GaN/Si/GaAs WAFER4英寸和6英寸

激光划片

可切割GaAs、GaN晶圆

355nm激光光源,最大功率15W。适用于6寸以下Wafer

1、满足2-6寸wafer切割

2、晶圆厚度< 500um

3、切深精度:+/-5um,直线度<10um,崩边崩角<15um