单步工艺代工
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光刻工艺
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接触式光刻
最小图形尺寸：1μm，套刻精度：±0.5μm
步进式光刻
最小图形尺寸：0.5μm，套刻精度：±0.1μm
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金属薄膜工艺
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金属蒸镀
Al、Ti、Pt、Au、Ag、Ni、C、Ge、SiO2/TiO2、ITO
金属溅射
Ti、Cu、TiW、Au、Al、Ni、Ge
电镀金属
Au、Ni
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介质薄膜工艺
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PECVD沉积
SiNx、SiO2
ALD沉积
Al2O3、AlN
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蚀刻工艺
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干法刻蚀
GaN、GaAS、SiNx、SiO2、InP
湿法刻蚀
Cr腐蚀、BOE腐蚀、金蚀刻等
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化学工艺
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有机bench
可支持去胶、剥离、有机清洗工艺
酸bench
可支持酸腐蚀、酸处理、碱处理等工艺
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减薄工艺
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键合解键合工艺
max temp：200℃，极限真空：-710mmHg，升温速率≥10℃/min
GaN/Si/GaAs WAFER4英寸和6英寸
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激光划片
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可切割GaAs、GaN晶圆
355nm激光光源，最大功率15W。适用于6寸以下Wafer
1、满足2-6寸wafer切割
2、晶圆厚度＜ 500um
3、切深精度：+/-5um，直线度＜10um，崩边崩角＜15um