构建光电芯片全流程工艺能力，已攻克化合物光电芯片关键工艺技术，如光刻、刻蚀等图形化工艺技术、金属非金属薄膜工艺技术、减薄划片工艺技术、量测检测工艺技术等。
化合物光电芯片平台可支持6英寸VCSEL 1-9 结砷化镓外延流片，最小线宽2μm，Mesa蚀刻精度±0.4μm，PCE＞35%，功率大于90W，电性良率大于99%。平台车规级VCSEL通过1000h车规级可靠性测试并发布车规PDK，工艺水平国内先进。
HEMT平台PDK可支持最小线宽0.5μm，套刻精度200nm，饱和电流＞600 mA/mm，跨导＞120 ms/mm，阈值电压-3~-4 V；GaAs IPD平台PDK可支持电容、电感、电阻设计及工艺制作。
球面及非球硅微透镜PDK，硅微透镜工艺平台采用高精度刻蚀工艺，光刻及刻蚀工艺均匀性小于5%，Sq及ROC的精度小于5%，薄膜透过率＞99%。
