先进光子器件工程创新平台
2023年3月，先进光子器件工程平台正式启用，专注于6英寸化合物半导体芯片中试代工业务。工程平台占地30亩，总建筑面积3万平方米，洁净厂房3000平方米，专业设备100余台（套）。
工程平台采用“共享+协同”模式，实现对技术及产业的共性赋能。即：80%的资源用于已进入高速成长阶段，需要中试代工的企业客户；20%的资源用于继续支持研发小试阶段的企业创新产品项目。同时，基于之前运营孵化平台的经验和需求，在工程平台--主工艺平台建设的同时预留完善了基础设施空间，满足部分企业客户在主工艺平台基础上搭建自有特色工艺平台的需求，最终建成柔性工程平台。
工程平台主要面向光电器件，开发GaAs、GaN基激光器芯片工艺，建设主工艺平台，进行中试代工业务；利用主工艺平台形成的特色工艺平台将陆续拓展至探测、射频及功率器件。
工程平台已攻克包括光刻、刻蚀、薄膜、湿法氧化在内的34项核心工艺开发，具备工程化代工能力。基于不同客户需要，根据不同器件工艺复杂程度，工程平台整体具备从百片级至千片级晶圆的柔性制造服务切换能力。
工程平台将原有研发平台服务能力从2.0阶段（专业设备设施+单项工艺）提升至4.0阶段（专业设施+单项工艺+设计仿真+成套工艺+产品中试+产品检测+技术转移+联合研发），工程服务能力大幅提升，持续助力光子产业链企业产品创新。
中试平台
